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SQ2361EES-T1-GE3

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SQ2361EES-T1-GE3

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Nº de pieza SQ2361EES-T1-GE3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
Hoja de datos SQ2361EES-T1-GE3 Hoja de datos
Paquete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
En existencias 102.502 piece(s)
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Especificaciones SQ2361EES-T1-GE3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Hoja de datos SQ2361EES-T1-GE3Hoja de datos
PaqueteTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C2.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds545pF @ 30V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs150 mOhm @ 2.4A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSOT-23-3 (TO-236)
Paquete / cajaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ficha técnica SQ2361EES-T1-GE3

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