| Nº de pieza | SIHD6N65E-GE3 |
|---|---|
| Fabricantes | Vishay Siliconix |
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 7A TO252 |
| Hoja de datos | |
| Paquete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
|
| En existencias | 9.468 piece(s) |
| Precio unitario | Request a Quote |
| Plazo de ejecución | Para ser confirmado |
| Tiempo estimado de entrega | may 8 - may 13 (Elija envío expedito) |
| Pedir presupuesto |
|
| Métodos de pago | |
| Servicios de entrega |
| Fabricantes | Vishay Siliconix |
| Categoría | Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Paquete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
|
| Serie | - |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252AA) |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
|
SIT8208AI-32-18E-74.175824T | SiTIME, -40 TO 85C, 5032, 25PPM, 1.8V, 7, -, - | Ver |
|
|
1812Y4K00331KXR | Knowles Syfer, CAP CER 330PF 4KV X7R 1812, 1812 (4532 Metric), - | Ver |
|
|
CC45SL3AD180JYVNA | TDK Corporation, CAP CERAMIC DISC RADIAL, Radial, Disc, - | Ver |
|
MC10XS4200BFK | NXP, IC SWITCH HIGH SIDE 23PQFN, 23-PowerQFN, - | Ver |
|
74ABT125PW,118 | Nexperia USA Inc., IC BUFF TRI-ST QD N-INV 14TSSOP, 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), - | Ver |
|
DF2117RVPT20HV | Renesas Electronics America, IC MCU 16BIT 160KB FLASH 144TQFP, 144-TQFP, - | Ver |
|
RT1210CRB07316RL | Yageo, RES SMD 316 OHM 0.25% 1/4W 1210, 1210 (3225 Metric), - | Ver |
|
414-87-268-41-134101 | Preci-Dip, PCB CONN SURFACE MOUNT 2.54MM, -, - | Ver |
|
|
EW-20-20-S-T-600 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, - | Ver |
|
|
MS3471L22-21P | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT 21POS INLINE W/PINS, -, - | Ver |
|
|
FNG.2K.302.CLAC50Z | LEMO, CONN INLINE PLUG, -, - | Ver |
|
RPP20-2412SW | Recom Power, CONV DC/DC 20W SNGL 12V OUT, 6-DIP Module, - | Ver |
Garantizamos el 100% de satisfacción del cliente.
Nuestro experimentado equipo de ventas y nuestro equipo de soporte técnico respaldan nuestros servicios para satisfacer a todos nuestros clientes.
Ofrecemos 90 días de garantía.
Si los artículos que recibió no tenían la calidad perfecta, seremos responsables de su reembolso o reemplazo, pero los artículos deben devolverse en su estado original.
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65E-GE3 D# V99:2348_09218426 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65E-GE3 D# SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin TO-252 - Tape and Reel (Alt: SIHD6N65E-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65E-GE3 D# SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin TO-252 (Alt: SIHD6N65E-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-252 |
2910 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65E-GE3 D# SIHD6N65E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
2784 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65E-GE3 D# 2364075 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
16 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
9000 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
10710 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65E-GE3 D# 78-SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) RoHS: Compliant
|
2700 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65E-GE3 D# XSFT00000002506 |
Vishay Siliconix |
E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK |
9000 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3016 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIHD6N65E-GE3 D# 38493995 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
0 |
El compromiso de Heisener con la calidad ha dado forma a nuestros procesos de abastecimiento, prueba, envío y cada paso intermedio. Esta base subyace en cada componente que vendemos.
¿Tienes alguna pregunta sobre SIHD6N65E-GE3?
+86-755-83210559 ext. 813
Escanee para ver esta página
