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| Nº de pieza | SI9407BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricantes | Vishay Siliconix |
| Descripción | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
| Hoja de datos | |
| Paquete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| En existencias | 741.504 piece(s) |
| Precio unitario | Request a Quote |
| Plazo de ejecución | Se puede enviar inmediatamente |
| Tiempo estimado de entrega | abr 30 - may 5 (Elija envío expedito) |
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| Métodos de pago | |
| Servicios de entrega |
| Fabricantes | Vishay Siliconix |
| Categoría | Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Paquete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.7A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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638E156J2I3T | CTS-Frequency Controls, OSC LVPECL SMD, 6-SMD, No Lead, TrenchFET? | Ver |
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SIT8208AC-22-25S-66.600000T | SiTIME, -20 TO 70C, 3225, 25PPM, 2.5V, 6, -, TrenchFET? | Ver |
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0603J5002P20DCT | Knowles Syfer, CAP CER 2.2PF 500V C0G/NP0 0603, 0603 (1608 Metric), TrenchFET? | Ver |
 
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TPS61072DDCR | Texas Instruments, IC REG BOOST ADJ 0.5A SYNC SOT6, SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, TrenchFET? | Ver |
|
AP2171SG-13 | Diodes Incorporated, IC PWR SW USB 1CH 1A 8-SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), TrenchFET? | Ver |
|
SN74AUP1G06DBVT | Texas Instruments, IC INVERTER SGL 1INPUT SOT23-5, SC-74A, SOT-753, TrenchFET? | Ver |
|
RNC55H1004BPRSL | Vishay Dale, RES 1M OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Ver |
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|
EL1M132B00 | Amphenol PCD, CONN TERM BLOCK 13POS 5.08MM R/A, -, TrenchFET? | Ver |
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|
FW-16-05-G-D-512-157 | Samtec Inc., .050'' BOARD SPACERS, -, TrenchFET? | Ver |
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D38999/46GB99PN | TE Connectivity Deutsch Connectors, D38999/46GB99PN, -, TrenchFET? | Ver |
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97-3108A22-18PX-417-940 | Amphenol Industrial Operations, AB 8C 8#16 PIN PLUG, -, TrenchFET? | Ver |
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VE-21K-MV-F3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 40V 150W, Full Brick, TrenchFET? | Ver |
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| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# 70026452 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 150mohm, Id 4.7A, SO-8, Pd 5W RoHS: Not Compliant
|
1990 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# V72:2272_09216516 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R - Product that comes on tape, but is not reeled |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI9407BDY-T1-GE3) |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI9407BDY-T1-GE3) |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
- Tape and Reel |
6200 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
P-Channel 60V 4.7A 3V @ 250uA 120mohms @ 3.2A,10V 2.4W SOIC-8_150mil MOSFET RoHS |
3368 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# SI9407BDY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO |
5 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# 2101454RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P CH, 60V, 4.7A, 8SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single P-Channel 60 V 2.4 W 22 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
113050 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# C141567 |
Vishay Intertechnologies | 3368 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
850000 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# 781-SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 RoHS: Compliant
|
1010 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# XSKDRABV0043842 |
Vishay Intertechnologies | 34539 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# 16P3885 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -60V, 4.7A, SOIC, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:4.7A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Product Range:- RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
3292 |
SI9407BDY-T1-GE3. D# 26AC3352 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P CHANNEL, -60V, -4.7A, SOIC-8, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:4.7A, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# NS-SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
25026 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
4700 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
80 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# 8181444P |
Vishay Intertechnologies |
P-Channel MOSFET, 3.8 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9407BDY-T1-GE3, RL Min Qty: 20
Container: Reel
|
260 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDYT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
2754 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
849985 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3. |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V pbFree: Pb-Free
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0 |
SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
9988 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# 43697116 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
17946 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SI9407BDY-T1-GE3 D# 2101454 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P CH, 60V, 4.7A, 8SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
2568 |
El compromiso de Heisener con la calidad ha dado forma a nuestros procesos de abastecimiento, prueba, envío y cada paso intermedio. Esta base subyace en cada componente que vendemos.
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