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SI4116DY-T1-E3

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SI4116DY-T1-E3

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Nº de pieza SI4116DY-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
Hoja de datos

SI4116DY-T1-E3 Hoja de datos
Paquete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En existencias 3.908.616 piece(s)
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Especificaciones SI4116DY-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C18A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1925pF @ 15V
Vgs (Max)±12V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-SO
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ficha técnica SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI4116DY-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4116DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4116DY-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4116DY-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4116DY-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4116DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4116DY-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH 25V 12.7A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4116DY-T1-E3)

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MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12.7A I(D), 25V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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