| Nº de pieza | IPB034N06L3 G |
|---|---|
| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 |
| Hoja de datos | |
| Paquete | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| En existencias | 20.076 piece(s) |
| Precio unitario | Request a Quote |
| Plazo de ejecución | Para ser confirmado |
| Tiempo estimado de entrega | may 29 - jun 3 (Elija envío expedito) |
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| Métodos de pago | |
| Servicios de entrega |
| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Categoría | Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Paquete | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 90A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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DSC1001DE1-012.5000T | Microchip Technology, OSCILLATOR MEMS 12.5MHZ CMOS SMD, 4-SMD, No Lead, OptiMOS? | Ver |
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1812J0250682GFR | Knowles Syfer, CAP CER 6800PF 25V C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), OptiMOS? | Ver |
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E37X421HPN272MCD0M | United Chemi-Con, CAP ALUM 2700UF 20% 420V SCREW, Radial, Can - Screw Terminals, OptiMOS? | Ver |
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MCHC908AB32CFUR2 | NXP, IC MCU 8BIT 32KB FLASH 64QFP, 64-QFP, OptiMOS? | Ver |
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FCD060250TP | Littelfuse Inc., FUSE BOARD MNT 250MA 32VDC 0603, 0603 (1608 Metric), OptiMOS? | Ver |
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YC248-FR-0710K5L | Yageo, RES ARRAY 8 RES 10.5K OHM 1606, 1606, Convex, Long Side Terminals, OptiMOS? | Ver |
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HRG3216P-5360-B-T1 | Susumu, RES SMD 536 OHM 0.1% 1W 1206, 1206 (3216 Metric), OptiMOS? | Ver |
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ER1840-103JR | API Delevan Inc., FIXED IND 240NH 2A 65 MOHM TH, Axial, OptiMOS? | Ver |
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P10-14R-E | Panduit Corp, CONN RING CIRC 10-14AWG #1/4, -, OptiMOS? | Ver |
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0387309105 | Molex, LLC, CONN BARRIER STRIP 5CIRC 0.438", -, OptiMOS? | Ver |
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0386912401 | Molex, LLC, CONN BARRIER STRIP 1CIRCUIT, -, OptiMOS? | Ver |
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TVS06RF-19-11JB-LC | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG HSG FMALE 11POS INLINE, -, OptiMOS? | Ver |
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| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB034N06L3GATMA1 D# V72:2272_06383402 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB034N06L3GXT D# IPB034N06L3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB034N06L3GATMA1) |
0 |
IPB034N06L3GATMA1 D# 50Y2003 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin TO-263 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 50Y2003) RoHS: Compliant
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB034N06L3GATMA1 D# SP000398062 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000398062) RoHS: Compliant
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB034N06L3GATMA1 D# IPB034N06L3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB034N06L3GATMA1 D# 2480798 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 60V, 90A, TO-263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB034N06L3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 60 V 3.4 mOhm 59 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB034N06L3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5980 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB034N06L3GATMA1 D# 50Y2003 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 60V, 90A, 175DEG C, 167W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:90A, On Resistance Rds(on):0.0027ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB034N06L3GATMA1 D# 8977419P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB034N06L3GATMA1, RL Min Qty: 5
Container: Reel
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB034N06L3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1053 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB034N06L3GATMA1 D# 2480798RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 60V, 90A, TO-263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
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