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IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

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Nº de pieza IPB027N10N3GATMA1
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Hoja de datos

IPB027N10N3GATMA1 Hoja de datos
Paquete TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En existencias 45.006 piece(s)
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Especificaciones IPB027N10N3GATMA1

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C120A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 275µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs206nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds14800pF @ 50V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO263-2
Paquete / cajaTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ficha técnica IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1 Packaging

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Packing
Insepction

IPB027N10N3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB027N10N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB027N10N3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB027N10N3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB027N10N3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB027N10N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB027N10N3GATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IPB027N10N3GATMA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

D# V72:2272_06377077

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

D# IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB027N10N3GATMA1)

RoHS: Compliant
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

D# SP000506508

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000506508)

RoHS: Compliant
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

D# C1S322000194070

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 1017
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

D# IPB027N10N3GATMA1CT-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

 32
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

D# 2443379

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 206 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 30735
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3 G

D# 726-IPB027N10N3G

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
 1335

IPB027N10N3GATMA1

D# 726-IPB027N10N3GATMA

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
 798
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

D# XSKDRABV0054873

 Infineon Technologies AG

9000
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

D# 85X6013

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 120A, TO-263-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 0

IPB027N10N3GATMA1.

D# 27AC6718

 Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.7V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

D# 8259235P

 Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB027N10N3GATMA1, RL

Min Qty: 2
Container: Reel
 936
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 26512
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IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

shipping today

 39
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IPB027N10N3GATMA1

D# 44558404

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
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IPB027N10N3GATMA1

D# 2443379

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3

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