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HUFA75329D3ST

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Nº de pieza HUFA75329D3ST
Fabricantes Fairchild/ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Hoja de datos

HUFA75329D3ST Hoja de datos
Paquete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En existencias 5.584 piece(s)
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Especificaciones HUFA75329D3ST

FabricantesFairchild/ON Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C20A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorTO-252AA
Paquete / cajaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ficha técnica HUFA75329D3ST

HUFA75329D3ST Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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    (1)Inform us within 90 days
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OEM/CM ONLY

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