Name: BSZ097N04LS G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ097N04LS-G
Availability: InStock
Rating: 5 (91 reviews)

BSZ097N04LS G

Solo por referencia

Nº de pieza	BSZ097N04LS G
Fabricantes	Infineon Technologies
Descripción	MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Hoja de datos	BSZ097N04LS G Hoja de datos
Paquete	8-PowerTDFN
ECAD
En existencias	578.658 piece(s)
Precio unitario	Request a Quote
Plazo de ejecución	Para ser confirmado
Tiempo estimado de entrega	may 17 - may 22 (Elija envío expedito)
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Especificaciones BSZ097N04LS G

Fabricantes	Infineon Technologies
Categoría	Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 14µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Paquete / caja	8-PowerTDFN

ficha técnica BSZ097N04LS G

BSZ097N04LS G Packaging

BSZ097N04LS G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSZ097N04LS G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSZ097N04LS G price and inventory displayed accurate?

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
6. What is the process for return or replacement of BSZ097N04LS G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSZ097N04LS G we delivered, we will accept the replacement or return of the BSZ097N04LS G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSZ097N04LS G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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EBA28DCMS	Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 56POS 0.125, -, OptiMOS?	Ver

BSZ097N04LS G Garantías

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Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# V72:2272_06390960

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# 60R2538

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON T/R - Bulk (Alt: 60R2538)

RoHS: Compliant

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# SP000388296

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: SP000388296)

RoHS: Compliant

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LS G

Infineon Technologies AG

117

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LS G

Infineon Technologies AG

- Tape and Reel

10000

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# C1S322000087381

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

12729

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSG

Infineon Technologies AG

N-Channel 40V 12A 2V @ 14uA 9.7mohms @ 20A,10V 2.1W PG-TSDSON-8 MOSFET RoHS

693

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSG

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LS G

Infineon Technologies AG

RoHS (ship within 1day) - D/C 2018

4970

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# BSZ097N04LSGATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON

32158

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSG

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

9780

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# 1775501

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 40A, 40V, PG-TSDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

5985

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

28750

BSZ097N04LSG

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

673900

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LS G

Infineon Technologies AG

In stock

117

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSG

D# C412744

Infineon Technologies AG

693

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSG

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

9520

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# 726-BSZ097N04LSGATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

8238

BSZ097N04LS G

D# 726-BSZ097N04LSG

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

37117

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# XSKDRABS005063

Infineon Technologies AG

TRANSITIONAL MOSFETS

29900

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# 60R2538

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CHANNEL, 40V, 40A, PG-TSDSON, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:40V, Continuous Drain Current Id:40A, On Resistance Rds(on):0.0081ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Bulk

4032

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LS G

D# NS-BSZ097N04LS G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

7928

BSZ097N04LSG

D# NS-BSZ097N04LSG

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

2706

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSG

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 40V, 0.0142OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

300

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# 7545367P

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ097N04LSGATMA1, RL

Min Qty: 5

Container: Reel

20110

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LS G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

10016

BSZ097N04LSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

35016

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSG

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

9535

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# 43710818

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

BSZ097N04LS G

D# 36530820

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSG

Infineon Technologies AG

OptiMOS?3 Power-Transistor

43332

Nº de pieza

Fabricantes

Descripción

En existencias

BSZ097N04LSGATMA1

D# 1775501

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 40A, 40V, PG-TSDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

6050

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BSZ097N04LS G

Calidad certificada

El compromiso de Heisener con la calidad ha dado forma a nuestros procesos de abastecimiento, prueba, envío y cada paso intermedio. Esta base subyace en cada componente que vendemos.

ISO9001:2015, ICAS, IAF, UKAS