* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Nº de pieza | BSC046N10NS3GATMA1 |
|---|---|
| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 |
| Hoja de datos | |
| Paquete | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
|
| En existencias | 262.650 piece(s) |
| Precio unitario | Request a Quote |
| Plazo de ejecución | Para ser confirmado |
| Tiempo estimado de entrega | may 24 - may 29 (Elija envío expedito) |
| Pedir presupuesto |
|
| Métodos de pago | |
| Servicios de entrega |
| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Categoría | Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Paquete | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
|
| Serie | OptiMOS? |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17A (Ta), 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
|
SIT1602BI-21-33S-74.250000E | SiTIME, -40 TO 85C, 3225, 20PPM, 3.3V, 7, -, OptiMOS? | Ver |
|
0201ZD682KAT2A | AVX Corporation, CAP CER 6800PF 10V X5R 0201, 0201 (0603 Metric), OptiMOS? | Ver |
|
MX6AWT-H1-R250-0008B6 | Cree Inc., LED XLAMP WHITE 2SMD, 2-SMD, Gull Wing, Exposed Pad, OptiMOS? | Ver |
|
|
MSF4800S-30-1840-10X-10R | Omron Automation and Safety, SAFETY LIGHT CURTAIN, -, OptiMOS? | Ver |
|
1130-222K | Bourns Inc., FIXED IND 2.2MH 1.3A 1.02 OHM TH, Radial, OptiMOS? | Ver |
|
|
OQ1955500000G | Amphenol Anytek, TERM BLOCK HDR 19POS VERT 5.08MM, -, OptiMOS? | Ver |
|
|
FTS-111-01-F-DV-P | Samtec Inc., .050 X .050 C.L. LOW PROFILE TER, -, OptiMOS? | Ver |
|
|
97-3101A28-2SX | Amphenol Industrial Operations, AB 14C 12#16, 2#12 SKT RECP, -, OptiMOS? | Ver |
|
|
VE-J4Z-MW-B1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W, Half Brick, OptiMOS? | Ver |
|
VI-J4V-CZ-B1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 25W, Half Brick, OptiMOS? | Ver |
|
R09P12S/P/R6.4 | Recom Power, CONV DC/DC 1W 09VIN 12VOUT, 7-SIP Module, 4 Leads, OptiMOS? | Ver |
|
ISL9021IRUBZ-T | Renesas Electronics America, IC REG LINEAR 1.5V 250MA 6UTDFN, 6-UFDFN, OptiMOS? | Ver |
Garantizamos el 100% de satisfacción del cliente.
Nuestro experimentado equipo de ventas y nuestro equipo de soporte técnico respaldan nuestros servicios para satisfacer a todos nuestros clientes.
Ofrecemos 90 días de garantía.
Si los artículos que recibió no tenían la calidad perfecta, seremos responsables de su reembolso o reemplazo, pero los artículos deben devolverse en su estado original.
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 50Y1804 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin TDSON EP - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 50Y1804) RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 |
15000 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# BSC046N10NS3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 2480739 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1027 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 50Y1804 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, 150DEG C, 156W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.004ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10VRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# NS-BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
3526 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 17A I(D), 100V, 0.0046OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
93 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 9064321 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC046N10NS3GATMA1, PK Min Qty: 4
Container: Package
|
2 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
9976 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
124 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 2480739 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
El compromiso de Heisener con la calidad ha dado forma a nuestros procesos de abastecimiento, prueba, envío y cada paso intermedio. Esta base subyace en cada componente que vendemos.
¿Tienes alguna pregunta sobre BSC046N10NS3GATMA1?
+86-755-83210559 ext. 816
Escanee para ver esta página
