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SI1012X-T1-GE3

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SI1012X-T1-GE3

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Nº de pieza SI1012X-T1-GE3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Hoja de datos SI1012X-T1-GE3 Hoja de datos
Paquete SC-89, SOT-490
En existencias 256.702 piece(s)
Precio unitario $ 0,1307 *
Plazo de ejecución Se puede enviar inmediatamente
Tiempo estimado de entrega mar 1 - mar 6 (Elija envío expedito)
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Especificaciones SI1012X-T1-GE3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Hoja de datos SI1012X-T1-GE3Hoja de datos
PaqueteSC-89, SOT-490
SerieTrenchFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C500mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±6V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSC-89-3
Paquete / cajaSC-89, SOT-490

ficha técnica SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3 Garantías

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