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IRFP4227PBF

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Nº de pieza IRFP4227PBF
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
Hoja de datos

IRFP4227PBF Hoja de datos

Paquete TO-247-3
En existencias 3.636 piece(s)
Precio unitario $ 4,2200 *
Plazo de ejecución Se puede enviar inmediatamente
Tiempo estimado de entrega mar 3 - mar 8 (Elija envío expedito)
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Especificaciones IRFP4227PBF

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-247-3
SerieHEXFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C65A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs98nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds4600pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 46A, 10V
Temperatura de funcionamiento-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-247AC
Paquete / cajaTO-247-3

ficha técnica IRFP4227PBF

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