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IRF1010ZPBF

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IRF1010ZPBF

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Nº de pieza IRF1010ZPBF
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Hoja de datos IRF1010ZPBF Hoja de datos
Paquete TO-220-3
En existencias 18.114 piece(s)
Precio unitario $ 1,7000 *
Plazo de ejecución Se puede enviar inmediatamente
Tiempo estimado de entrega mar 2 - mar 7 (Elija envío expedito)
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Especificaciones IRF1010ZPBF

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Hoja de datos IRF1010ZPBFHoja de datos
PaqueteTO-220-3
SerieHEXFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C75A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs95nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2840pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 75A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-220AB
Paquete / cajaTO-220-3

ficha técnica IRF1010ZPBF

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