| Nº de pieza | IRF1010ZPBF |
|---|---|
| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB |
| Hoja de datos | IRF1010ZPBF Hoja de datos |
| Paquete | TO-220-3 |
| En existencias | 18.114 piece(s) |
| Precio unitario | $ 1,7000 * |
| Plazo de ejecución | Se puede enviar inmediatamente |
| Tiempo estimado de entrega | mar 2 - mar 7 (Elija envío expedito) |
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| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Categoría | Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Hoja de datos | IRF1010ZPBFHoja de datos |
| Paquete | TO-220-3 |
| Serie | HEXFET? |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
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